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池田屋精品！INFICON APX ALD单压力残余气体分析仪（100 AMU）技术

更新时间：2026-07-09      浏览次数：35

池田屋精品！INFICON APX ALD单压力残余气体分析仪（100 AMU）技术

池田屋精品！INFICON APX ALD单压力残余气体分析仪（100 AMU）技术

一、产品概述

INFICON Transpector APX ALD 单压力残余气体分析仪（RGA），是专为单压力原子层沉积（ALD）、化学气相沉积（CVD）和刻蚀工艺设计的高级过程监控专家。100 AMU规格是该系列中质量范围最小但灵敏度最高的型号，适用于超痕量气体分析及腐蚀性工艺环境下的连续监测，可帮助半导体和显示器制造商实时采集关键工艺步骤中的数据点，实现良率大化与缺陷率最小化。

二、产品规格

项目规格
质量范围1-100 amu
总压力范围5×10⁻⁷ ~ 1×10⁻³ Torr（6.6×10⁻⁷ ~ 1.3×10⁻³ mbar）
检测限< 10 ppb 
工艺压力范围1×10⁻⁸ Torr ~ 1.2 atm（1.3×10⁻⁸ mbar ~ 1.2 atm）
灵敏度（低发射）> 4.0×10⁻⁶ A/Torr（> 3.0×10⁻⁶ A/mbar）
灵敏度（高发射）> 2.0×10⁻⁵ A/Torr（> 1.5×10⁻⁵ A/mbar）
峰值宽度（10%峰值高度）0.9 amu ± 0.05 amu 
离子源类型闭式离子源 
丰度灵敏度< 5 ppm 
最大数据速率1.8 ms/点（555 数据点/秒）
最大传感器及入口工作温度歧管：120°C，入口：180°C 
离子源最大工作压力1×10⁻³ Torr（1.3×10⁻³ mbar）
离子源标称工作压力2×10⁻⁴ Torr（2.6×10⁻⁴ mbar）

三、核心设计特征

1. 超低检测限与最高灵敏度
100 AMU 规格提供 < 10 ppb 的检测限，是高发射模式下灵敏度最高的型号（> 2.0×10⁻⁵ A/Torr），可检测极低浓度的杂质和污染物。

2. ALD/CVD 专用单压力入口系统
采用温度控制入口（最高 180°C），配备 INFICON 涂层，可抵御 ALD 和 PECVD 等工艺中易产生颗粒或涂层的腐蚀性化学品。

3. 超高速数据采集
测量速度超过每秒 555 个数据点（1.8 ms/点），可实时捕捉每个关键工艺步骤的气相变化。

4. 闭式离子源设计
采用闭式离子源，专为腐蚀性应用而优化，配合 INFICON 涂层部件可显著延长仪器在恶劣工艺环境中的使用寿命。

5. 空间高效布局
高性能泵系统使工厂占地面积减少约 30%，便于集成于紧凑型晶圆厂布局中。

6. FabGuard® 软件集成
与 INFICON FabGuard® 软件兼容，提供自动校准、过程监控与诊断功能，确保工具间数据的长期可靠性和一致性。

四、耗材与选件

零件编号描述
969-800-G1SAPX CIS 钨丝灯丝套件（金色）
969-800-G2SAPX CIS 涂层灯丝套件（金色）
969-801-G1SAPX CIS 钨离子源套件（金色）
969-801-G3SAPX CIS 涂层离子源套件（金色）
961-707-G1电子倍增器更换套件
923-418-G2双级泵隔膜更换套件

五、典型应用场景

应用类型说明
原子层沉积（ALD）逐层生长过程中的化学信号连续监测
等离子体增强CVD（PECVD）易产生颗粒的工艺环境下的实时监控
腔室清洁终点监测耐腐蚀入口系统确保清洁工艺可靠性
刻蚀工艺检测刻蚀终点与腔室污染
超高纯气体监测痕量污染物检测与质量控制

六、选型要点

  • 质量范围确认：100 AMU 规格适用于质量数 1-100 范围内的气体分析，超出此范围需选用 200 AMU 或 300 AMU 规格

  • 灵敏度需求：100 AMU 规格提供该系列最高的灵敏度（> 2.0×10⁻⁵ A/Torr）和的检测限（< 10 ppb），适用于超高精度痕量分析场景

  • 入口温度要求：确认入口最高 180°C 的温度控制是否满足工艺需求

  • 腐蚀性环境适配：如需监测腐蚀性气体，建议选用涂层灯丝和离子源套件

  • 软件集成：确认是否需要 FabGuard® 软件实现自动校准与数据集成

七、注意事项

  • 100 AMU 规格是 Transpector APX ALD 单压力系列中灵敏度最高的型号，适用于痕量气体分析

  • 灯丝和离子源为易损件，建议定期更换以确保分析精度和灵敏度

  • 最大传感器及入口工作温度分别为 120°C（歧管）和 180°C（入口）

  • 如需在腐蚀性气体环境中长期运行，建议选用涂层灯丝和离子源套件

八、总结

INFICON Transpector APX ALD 单压力残余气体分析仪（100 AMU 规格）凭借其 < 10 ppb 的检测限、> 2.0×10⁻⁵ A/Torr 的高灵敏度及超过 555 点/秒的数据采集速度，为半导体 ALD、PECVD 及刻蚀工艺提供了一套超高精度、超高速的实时气体分析解决方案。其温度控制单压力入口、闭式离子源及 FabGuard® 软件集成能力，适用于污染检测、终点检测及腔室清洁监测等对灵敏度和响应速度要求的应用场景。