精品！OTSUKA 显微薄膜厚度计 OPTM-A3
该型号基于反射光谱法，对微小区域的绝对反射率进行高精度分析，适用于半导体（如硅基、III-V族化合物半导体）、光学镀膜及MEMS等领域中较厚膜层或红外透明材料的膜厚与光学常数测量。

精品！OTSUKA 显微薄膜厚度计 OPTM-A3

精品！OTSUKA 显微薄膜厚度计 OPTM-A3

OPTM-A3 是日本 OTSUKA ELECTRONICS（大塚电子）株式会社 OPTM 系列中的一款显微光谱薄膜厚度计，专为近红外波段（900–1600 nm）的薄膜厚度测量而优化。该型号基于反射光谱法，对微小区域的绝对反射率进行高精度分析，适用于半导体（如硅基、III-V族化合物半导体）、光学镀膜及MEMS等领域中较厚膜层或红外透明材料的膜厚与光学常数测量。

测量原理与波长范围

OPTM-A3 采用反射光谱法进行膜厚测量。通过显微镜物镜将测量光斑聚焦至样品表面的微小区域，采集近红外波段的反射光谱，并与基于光学模型的理论计算进行拟合，从而得出膜厚和光学常数（n, k）。其波长范围为 900 至 1600 nm，覆盖近红外波段，适合测量对可见光不透明或在近红外波段具有特征吸收的薄膜材料。

膜厚测量范围与光斑直径

基于 SiO₂ 薄膜计算，OPTM-A3 的膜厚测量范围为 16 nm 至 92 μm。该较宽的厚度范围使其能够测量从较薄的介电层到较厚的光学镀膜和聚合物薄膜。测量光斑直径提供 φ5、φ10、φ20、φ40 μm 四种可选，可根据测量区域的尺寸选择合适的光斑大小，以适应不同线宽和图案尺寸的样品。

适用材料与样品

近红外波段的测量能力使其特别适用于：

• 硅基半导体：硅对可见光不透明，但在近红外波段具有较高的透射率，可进行硅上薄膜的测量

• 化合物半导体：GaAs、InP 等 III-V 族材料在近红外波段的光学特性

• 较厚透明薄膜：如厚光刻胶（数 μm 至数十 μm）、聚酰亚胺等有机涂层

• 多层膜结构：可通过建模分析多层膜系的各层厚度

样品尺寸与平台配置

OPTM-A3 的标准样品台可容纳最大 200 mm × 200 mm × 17 mm 的样品，并配备 自动 XY 平台，可实现多点自动测量和区域扫描功能。对于 300 mm 晶圆等更大尺寸样品，厂家可提供定制方案。

测量速度与软件功能

单点测量时间仅需约 1 秒，适合批量样品的快速检测。配套分析软件具备薄膜厚度和光学常数拟合功能，支持多层膜建模分析。

物理规格与电源

OPTM-A3（自动 XY 平台型）的外形尺寸为 556 mm（宽）× 566 mm（深）× 618 mm（高），质量约 66 kg。电源为 AC100V ±10V，功耗约 500VA。

同系列选型参考

OPTM-A3 适用于硅基半导体工艺中的膜厚监控（如硅上 SiO₂、SiN 等薄膜）、化合物半导体外延层厚度测量（如 GaAs/AlGaAs 等体系），以及 MEMS 器件中较厚结构层和牺牲层的厚度表征。其近红外波段配置使得对可见光不透明的样品测量成为可能，是该系列中面向半导体和厚膜应用的重要型号。