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现货!USHIO 深紫外灯 UXM-501MD
现货!USHIO 深紫外灯 UXM-501MD
在半导体光刻、高精度UV固化及短波长光化学反应等应用中,需要一种在深紫外区域具有高辐射强度且接近点光源的光源。USHIO UXM-501MD型深紫外灯,正是在此需求下开发的一款500W高压汞氙灯,其设计旨在为光刻与精密加工提供可靠的深紫外辐射。
一、 产品基本规格参数
UXM-501MD深紫外灯的主要技术指标如下:
| 参数项目 | 规格指标 |
|---|---|
| 产品型号 | UXM-501MD |
| 品牌 | USHIO(牛尾) |
| 光源类型 | 高压汞氙灯 |
| 额定功率 | 500 W |
| 灯电压 | 25 ± 2 V |
| 灯电流 | 约 20 A |
| 冷电极间距 | 3.0 mm |
| 平均寿命 | 600 小时 |
| 光通量 | 20,000 lm |
| 水平辐照度 (210-300 nm) | 280 µW/cm² |
| 水平辐照度 (360-370 nm) | 180 µW/cm² |
| 灯头规格 | M5×0.9(螺纹) |
| 外形尺寸 | 最大长度180 mm,灯头直径29 mm |
二、 波长特性与光源特点
该灯的辐射波长范围在230至320nm的深紫外区域,适用于依赖短波长的光化学反应和曝光制程。它兼具氙灯从紫外到红外的连续光谱,以及超高压汞灯在紫外区的高能量特性。相比超高压汞灯,在400nm以下的短波长区域可获得更高的辐射能量,适合用于集光与均匀照明等光学系统的控制。
三、 典型应用场景
该灯设计为高亮度点光源,主要应用于以下领域:
半导体光刻与微加工:用于晶圆或封装基板的精细线路曝光,在半导体和电子封装领域有应用。有文献记载其在光刻工艺中作为254nm深紫外曝光光源的使用记录。
UV固化:用于对深紫外波段敏感的粘合剂、涂层或油墨的固化。
光化学反应:作为短波长光化学实验的驱动光源。